第832章 棒子其实早就在封锁华夏的存储技术了

第832章 棒子其实早就在封锁华夏的存储技术了 (第2/2页)

“哈哈，老卢，到时候你是不是还要对三星李志运来一句，我想李先生也不想看到太太，啊呸，是红星削减三星订单转向华夏国产吧？”
　　
　　陈星笑着开了一句玩笑，啧啧，老办法嘛。
　　
　　装糖。
　　
　　“嘿嘿，闪存项目是国家重点项目，到时候我也有理由应对李志运，就说……”卢伟兵想了一下，“就说这是华夏Zf的强制要求，我们也没办法，但我们据理力争，不愿意用这么差劲的闪存颗粒，最后只采购了一部分。”
　　
　　“但是你三星也得稍微给点优惠，起码要保证产能，不然我们很有可能顶不住压力去采购更多华芯国际生产的。”
　　
　　卢伟兵这句话说完，陈星也明白了，这个东西可以对外说不关红星的事情，星火半导体的闪存是国家级重点项目，只要红星提出来，和赵利剑说清楚，那从国家层面帮红星装一手是完全没问题的。
　　
　　还是那俩字，装糖。
　　
　　“OK，可以按照这个想法制定几套备选方案出来。”接着陈星又看向陆远江，略带歉意的说：“就是这么做让咱们的半导体团队有点……”
　　
　　陆远江不在行的朝陈星摆了摆手，虽然说大家对名声很在乎，可是吧，又不是说不公布了。
　　
　　按照自己对陈总的了解，性能不够强的时候装一波，能性能足够了，那么自己这些人的名字，闪存项目组工程师的名字，一定会出现在陈总口中。
　　
　　“专利方面的话，因为我们即将进入的28/32nm是2D平面NAND末期核心量产节点，FG，FlOatingGate技术也就是平面浮栅整套底层专利几乎被美光+IBM联合垄断，这部分的专利我会让蔡总提前向美光和IBM申请授权。”
　　
　　“这个是没办法的事情，我们的一些工艺也会被强制共享出去一部分。”
　　
　　“绕不开？”陈星皱着眉问道。
　　
　　“绕不开。”林先动说道：“只要做平面FGNAND，单元底层结构必然落入其专利保护范围，无任何的绕开空间，28nm以下平面FG天生存在浮栅导体耦合串扰、隧穿氧化层漏电、擦写耐久差三大物理短板，没有任何改良的路径。”
　　
　　“这是物理特性决定的，不以人为意志转移。”
　　
　　这种纯技术的东西，陈星就有点抓瞎了，他知道知道2D平面NAND这条路线会被走死，未来会向3DNAND发展，更知道3DNAND的一些技术路径。
　　
　　可你要是让他说2DNAND技术路径和绕开专利，那真抓瞎。
　　
　　毕竟上一世自己出生的时候红星走的就是3D路线，压根就没经历过2D时代。
　　
　　回想了半天，陈星也只想起来一个氮化硅，主要2D平面NAND是这玩意上一世的时候《红星本纪》里面压根就没写过啊，自家老爹也从来没提过。
　　
　　氮化硅三个字还是一个叫尹阳君的朋友告诉他的。
　　
　　“那个，陆教授，林博士，要不你们试试氮化硅？”
　　
　　陈星只说了这一句，多了也没法说，也不知道说什么，氮化硅是在哪个节点用的，怎么用的，统统不知道。
　　
　　“氮化硅？”
　　
　　林先动咂摸着这个名字，不知道陈总为什么会突然说这东西。
　　
　　和闪存工艺以及IBM的专利好像没什么……
　　
　　不对！