第833章 氮化硅和电子陷阱

第833章 氮化硅和电子陷阱 (第1/2页)

有关系！
　　
　　绝对有关系！
　　
　　陆远江也是眉头紧锁，在想氮化硅在闪存上有啥用。
　　
　　过往的经验告诉他，陈总绝对不会无的放矢，不会随便说一种元素的，这个氮化硅绝对有用。
　　
　　就是一时间想不出来要应用在哪里，毕竟整个半导体工艺的工序太多了。
　　
　　陈星在旁边也没敢打扰这二位，主要是他在这方面知道的实在不多……
　　
　　突然，陆远江转过头和林先动对视了一眼，都从对方眼神中看到一种不可思议。
　　
　　再看陈总现在，一脸的老婶在定，仿佛早知道自己能猜出来一样。
　　
　　哎，陈总不愧是陈总啊。
　　
　　一个元素就能指明绕过IBM和美光专利的路线。
　　
　　“电子陷阱！”
　　
　　“氮化硅能捕获电子！”
　　
　　陆远江和林先动猛地一喊，把陈星吓了一跳，嗯？
　　
　　这就有想法了？
　　
　　“陈总，你的意思是说，IBM用的是导电浮栅来控制电子的移动，这也是他们的核心专利范围，所以我们利用氮化硅能捕获电子的特性，人为制造电子陷阱来控制，这样就完全绕开了他们的专利。”
　　
　　“只需要在基础MOSFET、通用光刻、通用隧穿物理等行业通用基础专利进行小额授权就够了！”
　　
　　“陈总，我服，我老陆服了。”
　　
　　陆远江一边摇着头，一边看陈星那一脸淡定的样子，心里的佩服简直到了无可复加的地步。
　　
　　林先动也是补充道：“常规工艺是电子在导体浮栅自由移动，单元间存在电容耦合干扰，美光拥有耦合抑制、浮栅电荷均衡全套方法专利，如果我们使用氮化硅，电子被绝缘介质离散陷阱锁住，无导体耦合，串扰天然更低，不需要浮栅专属补偿算法，就能规避大量工艺方法专利。”
　　
　　“说不定我们能搞定这套工艺，未来还能卡住他们的脖子。”
　　
　　“就是这个氮化硅一层结构是不够的，我们需要构成氧化物-氮化硅-氧化物这三层结构……”
　　
　　“还有氮化硅的材料……”
　　
　　“你们可以去无冬大师那看看。”卢伟兵急忙补充道，不就是半导体材料嘛，红星有单独的研发机构。
　　
　　无冬大师就是专门搞这个的。
　　
　　“走，老林，事不宜迟咱们先去无冬大师那看看，讨论一下氮化硅这种材料。”说着二人就站了起来，就说今天不白来。
　　
　　还是陈总有先见之明啊，早早的就成立了半导体材料研发部门。
　　
　　这格局，这眼光，这格调。
　　
　　一个字——绝！
　　
　　这俩人一唱一和，把陈星搞的都有点不好意思了，自己真不记得2D平面的时候用的什么工艺了，要不是上一世熟读《红星本纪》，估计连这个氮化硅都说不出来。
　　
　　结果倒好，二人自己就脑补出来了。
　　
　　“哎？陆教授和林博士这么着急干嘛去了？”
　　
　　王藤刚进门就看到二人急急忙忙的往外走，给他们打招呼都不带搭理自己的，好奇的问向卢伟兵。
　　
　　

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